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MOS Transistor

弗莱明提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中／高VDSS MOSFET丰富组合，其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。

弗莱明在MOSFET的开发和制造方面拥有数十年的经验。

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POLAR-ITY	GFS：VDS	GFS：(S)	VGS (th)：ID(uA)	VGS (th)：(V)	RDS (ON)(MAX)：VGS(V)	RDS (ON)(MAX)：ID(A)	RDS (ON)(MAX)：(Ω)	VBR(DSS)：(V)	ID：(A)	PD：(W)	package
- null	- 10 15 -25 3.6 4.5 5 -5	- 1.4 10 100 4 5.5 50 6.5 7 8 80	-0.13 0.2 0.5 2.3 -2.3 3 -3 4.1 -4.1 -4.2 -4.8 5 6	- ±0.1 0 0.25 -0.25	- 0 0.45 1 -1 1.2 -1.2 1.5 2 -2 2.5 -2.5 3	0 10 -10 4.5 -4.5 -5	0.1 0.2 0.25 0.5 1 2 3 -3 4 -4 -4.2 5	10 105 2 2.5 25 250 30 35 36 45 48 55 6 60 90	- 100 20 -20 30 -30 50 -50 60	0.225 0.3 0.35 1 1.2 1.25 1.5 1.56	SOT-23

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